JOPSS:検索結果一覧

論文

Influence of Zn injection on PWSCC crack growth rates and oxide film properties of Alloy 600

知見康弘; 佐藤賢二*; 笠原茂樹; 梅原隆司*; 塙悟史

Proceedings of Contribution of Materials Investigations and Operating Experience to Light Water NPPs' Safety, Performance and Reliability (FONTEVRAUD-9) (Internet), 10 Pages, 2018/09

一次系冷却水中での応力腐食割れ(PWSCC)進展挙動への亜鉛注入の影響を調べるため、加圧水型軽水炉(PWR)一次系水模擬環境での10%冷間加工600合金の亀裂進展試験を、320 $^{circ}$ C、低濃度(510ppb)の亜鉛注入、溶存水素濃度(DH)5, 30、及び50cc/kgH $_{2}$ Oの条件下で実施した。その結果、亀裂進展速度のDH依存性が亜鉛注入なしの試験データに基づく亀裂進展速度の予測値と同様の傾向を示し、実機環境を模擬した低濃度亜鉛注入が亀裂進展挙動に及ぼす影響はほとんど見られなかった。そこで、亀裂進展試験後の試験片の亀裂内及び表面に生成した酸化皮膜の微細組織分析を実施したところ、試験片表面の酸化皮膜からは亜鉛が検出されたが、亀裂内に生成した酸化皮膜からは亜鉛が検出されなかった。このことから、亀裂先端部の酸化皮膜への亜鉛の取り込みがないことが亀裂進展挙動への亜鉛注入の影響が見られない原因であることがわかった。

論文

Evaluation of crack growth rates and microstructures near the crack tip of neutron-irradiated austenitic stainless steels in simulated BWR environment

知見康弘; 笠原茂樹; 瀬戸仁史*; 橘内裕寿*; 越石正人*; 西山裕孝

Proceedings of the 18th International Conference on Environmental Degradation of Materials in Nuclear Power Systems - Water Reactors, Vol.2, p.1039 - 1054, 2018/00

https://doi.org/10.1007/978-3-319-68454-3_76

被引用回数：2 パーセンタイル：57.67(Materials Science, Multidisciplinary)

照射誘起応力腐食割れ(IASCC)による亀裂進展挙動を理解するため、中性子照射したオーステナイト系ステンレス鋼の亀裂進展試験を実施して亀裂進展速度を評価し、亀裂先端における変形組織と酸化皮膜に着目したミクロ組織観察を実施した。供試材は1214dpaまで中性子照射した316Lステンレス鋼で、BWR模擬水質環境(約288 $^{circ}$ C)下で亀裂進展試験を行った。また亀裂進展試験後、FEG-STEMを用いて亀裂先端のミクロ組織を観察した。試験の結果、腐食電位(ECP)の低減による亀裂進展抑制効果は、文献で示されている約2dpa以下の損傷量の低い材料と比較して顕著ではなかった。また1000時間以上高温水中に浸漬し、高ECPと低ECPの双方の環境に置かれた試験片の亀裂内には酸化物形成が認められたが、低ECP条件下のみを経験した亀裂先端近傍には酸化皮膜の形成がほとんど認められなかった。さらに、亀裂先端近傍には変形に伴う双晶組織が高密度に形成していた。これらの結果より、高損傷量のステンレス鋼の亀裂進展挙動において、局所変形と酸化が支配的な因子であることが示唆された。

論文

Sputter etching of Si substrate to synthesize highly oriented -FeSi $_{2}$ films

五十嵐慎一; 勝俣敏伸; 原口雅晴; 斉藤健; 山口憲司; 山本博之; 北條喜一

Transactions of the Materials Research Society of Japan, 28(4), p.1153 - 1156, 2003/12

われわれはイオンビームスパッタ蒸着法により、シリコン基板上に-FeSi $_{2}$ 薄膜の作製を行ってきた。薄膜の結晶構造は基板洗浄法に依存し、高配向の-FeSi $_{2}$ 薄膜の作製にはスパッタエッチングが適していることがわかってきた。われわれはスパッタエッチングの条件を変え、-FeSi $_{2}$ 薄膜の結晶構造の評価をX線回折法・反射高速電子線回折法により行い、エッチングにおける表面非晶質化が結晶構造に及ぼす影響を明らかにした。非晶質層は高配向膜の形成を妨げる。エッチング後の焼鈍による欠陥回復が、高配向-FeSi $_{2}$ 薄膜には不可欠であることを明らかにした。

論文

Preparation of TiO $_{2}$ -anatase film on Si(001) substrate with TiN and SrTiO $_{3}$ as buffer layers

Sugiharuto; 山本春也; 住田泰史; 宮下敦巳

Journal of Physics; Condensed Matter, 13(13), p.2875 - 2881, 2001/04

https://doi.org/10.1088/0953-8984/13/13/302

被引用回数：15 パーセンタイル：61.81(Physics, Condensed Matter)

酸素雰囲気中のレーザ蒸着法によりSi(001)基板上にSrTiO $_{3}$ とTiNをバッファ層としてアナターゼ相TiO $_{2}$ 薄膜をエピタキシャル出来た。アナターゼ相TiO $_{2}$ 薄膜とSrTiO $_{3}$ /TiNのバッファ層及びSi基板との結晶学的な関係を-2測定と極点図測定のX線回折法により求めた。薄膜の成長方向については、 $rm TiO_{2}langle 001rangle$ / $rm SrTiO_{3}langle 001rangle$ //の関係があり、面内方向については、 $rm TiO_{2}{110}$ // $rm SrTiO_{3}{100}$ ////の関係があった。アナターゼ相TiO $_{2}$ の結晶品位はロッキングカーブ測定で、薄膜の組成は2.0MeVの $^{4}$ Heを用いたラザフォード後方散乱分光(RBS)により求められた。

論文

A Three-step process for epitaxial growth of (111)-oriented C $_{60}$ films on alkali-halide substrates

Dai, Z.*; 楢本洋; 鳴海一雅; 山本春也; 宮下敦巳

Thin Solid Films, 360(1), p.28 - 33, 2000/02

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00877-9

被引用回数：2 パーセンタイル：15.65(Materials Science, Multidisciplinary)

熱蒸発法を用いて、C $_{60}$ 薄膜がアルカリ・ハライド基板(KCl(100), KBr(100), NaCl(100))上に成長する条件を調べた研究の報告である。その結果、結晶性に優れた(111)エピタキシャル薄膜を作製するためには、下記の3段階のプロセスを経ることが重要であるとの結論に達した。第1の過程: へき開したアルカリ・ハライド基板の熱処理(500 $^{circ}$ C, 12hrs, 10 $^{-5}$ Pa)。第2の過程: 極端に低い蒸着速度で、数モノレーヤーの超薄膜層を形成。第3の過程: 高い蒸着速度で所定の厚さまで蒸着(135 $AA$^{-1}$$ /min., 400550 $^{circ}$ C)。

論文

Epitaxial growth of rutile films on Si(100) substrates by thermal oxidation of evaporated titanium films in argon flux

Dai, Z.*; 楢本洋; 鳴海一雅; 山本春也

Journal of Physics; Condensed Matter, 11(43), p.8511 - 8516, 1999/11

https://doi.org/10.1088/0953-8984/11/43/314

被引用回数：11 パーセンタイル：54.58(Physics, Condensed Matter)

真空蒸着法により、Si(100)基板上にTi金属薄膜を形成後、Arガスで置換したO $_{2}$ 希薄ガス雰囲気で熱処理を行い、Si(100)上にTiO $_{2}$ ルチル結晶がエピタキシャルに成長する条件を調べた。X線回折法及びイオンチャネリング法等で結晶学的解析を行った結果、TiO $_{2}$ とSi基板とは、TiO $_{2}$ (100)//Si(100), TiO $_{2}$ (110)//Si(110)の関係にあることを見いだした。

論文

Self-mediated growth of single-crystal and entirely(111)-oriented C $_{60}$ films on alkali halide substrates

Dai, Z.*; 楢本洋; 鳴海一雅; 山本春也; 宮下敦巳

Applied Physics Letters, 74(12), p.1686 - 1688, 1999/03

https://doi.org/10.1063/1.123655

被引用回数：5 パーセンタイル：28.46(Physics, Applied)

各種のアルカリ・ハライド単結晶基板(KCl(100),KBr(100),NaCl(100))上でのC $_{60}$ 薄膜の結晶成長の過程を、成長初期の自己調整過程に着目して、X線回折法によって研究を行った。その結果、成長の初期に蒸着速度を極端に下げて2~3原子層だけ成長させることにより、広い温度範囲(40~120 $^{circ}$ C)と広い蒸着速度範囲(1.5~35で、C $_{60}$ (111)エピタキシャル薄膜を成長させることができた。

論文

Control of film orientation; A Parametric study of laser ablated FTO films on a-, c- and r-cut sapphire substrates by X-ray diffraction

Dai, Z.*; 宮下敦巳; 山本春也; 鳴海一雅; 楢本洋

Thin Solid Films, 349(1-2), p.51 - 55, 1999/00

https://doi.org/10.1016/S0040-6090(99)00170-4

被引用回数：3 パーセンタイル：22.8(Materials Science, Multidisciplinary)

サファイアのa,c及びr面を基板に用いて、レーザーアブレーション法により蒸着した薄膜の方位と基板方位との関係を、基板方位、温度、レーザーパワーとに着目して系統的に調べた。その中でも特徴的なのは、方位のちがう基板でも、レーザーパワーを増すことにより、FTO(FeTiO $_{3}$ )のC面を成長させることができた点である。

口頭

Evaluation of crack growth rates and microstructures near crack tip of neutron-irradiated 316L stainless steels in simulated BWR environment

知見康弘; 笠原茂樹*; 西山裕孝; 瀬戸仁史*; 茶谷一宏*; 橘内裕寿*; 越石正人*

no journal, ,

照射誘起応力腐食割れ(IASCC)進展挙動を理解するため、中性子照射した316Lステンレス鋼試験片を用いて、BWR模擬水質環境(約290 $^{circ}$ C高温水)中でき裂進展試験を実施し、試験片のき裂先端近傍での酸化皮膜特性及び変形組織について透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて調べた。試験供給水の脱気及び水素注入により腐食電位(ECP)を低下させることで、き裂進展速度の低下とともに、き裂内での酸化が抑制されている様子が観察された。発表では、き裂進展に伴う変形組織の観察結果も示し、き裂進展速度と酸化皮膜特性、変形組織の関係について議論する。

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